Pregunta: Una muestra de Si está dopada con 10^15 átomos de fósforo cm^-3. A 300K calcule las concentraciones de electrones y huecos y la posición del nivel de Fermi. Suponga que la distribución de estados en la banda de conducción viene dada por N(E)dE = 8 x 10^(20)*Sqrt(E)dE cm^-3. Calcule el número de electrones entre el intervalo de energía de 1,9 KT a 2,1 KT por

Una muestra de Si está dopada con 10^15 átomos de fósforo cm^-3. A 300K calcule las concentraciones de electrones y huecos y la posición del nivel de Fermi. Suponga que la distribución de estados en la banda de conducción viene dada por N(E)dE = 8 x 10^(20)*Sqrt(E)dE cm^-3. Calcule el número de electrones entre el intervalo de energía de 1,9 KT a 2,1 KT por encima del borde de la banda Ec.

las respuestas son

n0 = 1x10^15cm^-3

p0 = 2,25x10^5cm^-3

n = 3,31x10^12cm^-3

Ef-Ei

¿Cómo obtengo estas respuestas?