Pregunta: Para que la aproximación de Boltzmann sea válida para un semiconductor, el nivel de Fermi debe estar al menos 3 kT por debajo del nivel donante en un material tipo n y al menos 3 kT por encima del nivel aceptor en un material tipo p. Si T = 300 K, determine la concentración máxima de electrones en un semiconductor tipo n y la concentración máxima de huecos

Para que la aproximación de Boltzmann sea válida para un semiconductor, el nivel de Fermi debe estar al menos 3 kT por debajo del nivel donante en un material tipo n y al menos 3 kT por encima del nivel aceptor en un material tipo p. Si T = 300 K, determine la concentración máxima de electrones en un semiconductor tipo n y la concentración máxima de huecos en un semiconductor tipo p para que la aproximación de Boltzmann sea válida en (a) silicio y (b) arseniuro de galio.