En silicio a T = 300 K. hemos encontrado experimentalmente que no = 4.5 x 104 cm-3 y Nd = 5 x 1015 cm-3. a) ¿El material es de tipo n o de tipo p? (6) Determinar las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios. (c) ¿Qué tipos y concentraciones de átomos de impureza existen en el material?

En este ejercicio se nos plantea estudiar el silicio como un material semiconductor. El silicio es u...

Resuelto En silicio a T = 300 K. hemos encontrado

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Pregunta: En silicio a T = 300 K. hemos encontrado experimentalmente que no = 4.5 x 104 cm-3 y Nd = 5 x 1015 cm-3. a) ¿El material es de tipo n o de tipo p? (6) Determinar las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios. (c) ¿Qué tipos y concentraciones de átomos de impureza existen en el material?
En silicio a T = 300 K. hemos encontrado experimentalmente que no = 4.5 x 104 cm-3 y Nd = 5 x 1015 cm-3. a) ¿El material es de tipo n o de tipo p? (6) Determinar las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios. (c) ¿Qué tipos y concentraciones de átomos de impureza existen en el material?
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En este ejercicio se nos plantea estudiar el silicio como un material semiconductor. El silicio es u...
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