Pregunta: El tratamiento térmico es común en el procesamiento de materiales semiconductores. Una oblea (lamina fina) de silicio con un diámetro de 200 mm y un espesor de 725 um se calienta en una cámara de vacío mediante un calefactor infrarrojo. Las paredes circundantes de la cámara tienen una temperatura uniforme de 310 K. El calefactor infrarrojo emite un flujo de

El tratamiento térmico es común en el procesamiento de materiales semiconductores. Una oblea (lamina fina) de silicio con un diámetro de 200 mm y un espesor de 725 um se calienta en una cámara de vacío mediante un calefactor infrarrojo. Las paredes circundantes de la cámara tienen una temperatura uniforme de 310 K. El calefactor infrarrojo emite un flujo de radiación incidente de 200 kW/m² sobre la superficie de la oblea, cuya emisividad y absortividad son de 0.70. La temperatura de la superficie inferior de la oblea marcada por un pirómetro es de 1000 K. Si se asume que no hay intercambio de radiación entre la superficie inferior de la oblea y los alrededores, determine la temperatura de la superficie superior de la oblea. (Nota: Un pirómetro es un dispositivo que mide e intercepta la radiación térmica sin necesidad de entrar en contacto con la superficie. Se puede utilizar para determinar la temperatura de la superficie del objeto.) ksilicio=31.2 W/m.K (5 puntos) Oblea de silicio Tsu Grad Taired=310 K qabs = allir E = a=0.70 T L=725 pm Tsj= 1 000 K