Pregunta: (Use R) Un artículo del AT&T Technical Journal (marzo/abril de 1986, vol. 65, págs. 39-50) describe la aplicación de diseños factoriales de dos niveles a la fabricación de circuitos integrados. Un paso de procesamiento básico es hacer crecer una capa epitaxial en obleas de silicio pulidas. Las obleas montadas en un susceptor se colocan dentro de una campana

(Use R) Un artículo del AT&T Technical Journal (marzo/abril de 1986, vol. 65, págs. 39-50) describe la aplicación de diseños factoriales de dos niveles a la fabricación de circuitos integrados. Un paso de procesamiento básico es hacer crecer una capa epitaxial en obleas de silicio pulidas. Las obleas montadas en un susceptor se colocan dentro de una campana de cristal y se introducen vapores químicos. El susceptor se gira y se aplica calor hasta que la capa epitaxial sea lo suficientemente gruesa. Se realizó un experimento utilizando dos factores: tasa de flujo de arsénico (A) y tiempo de deposición (B). Se corrieron cuatro repeticiones y se midió el espesor de la capa epitaxial (en mm). Los datos se muestran a continuación

1. Realice un análisis de varianza para probar la importancia de los factores y su interacción.
2. Analizar los residuos. ¿Hay residuos que deberían causar preocupación?
3. Escriba una ecuación de regresión que podría usarse para predecir el espesor de la capa epitaxial en la región de la tasa de flujo de arsénico y el tiempo de deposición que se usa en este experimento.

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