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  • Pregunta: una unión pn de silicio tiene una concentración de dopaje de impurezas de Nd = 2x10^15 cm^-3 y Na = 8x10^15 cm^-3. Determine las concentraciones de portadores minoritarios en los bordes de la región de carga espacial para (a) Va = 0,45 V, (b) Va = 0,55 V y (c) Va = -0,55 V

    una unión pn de silicio tiene una concentración de dopaje de impurezas de Nd = 2x10^15 cm^-3 y Na = 8x10^15 cm^-3. Determine las concentraciones de portadores minoritarios en los bordes de la región de carga espacial para (a) Va = 0,45 V, (b) Va = 0,55 V y (c) Va = -0,55 V

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