Pregunta: a) Una celda solar de silicio (banda prohibida de 1,12 eV) se ilumina uniformemente con luz monocromática de 800 nm de longitud de onda e intensidad de 20 mW/cm2. Dado que su eficiencia cuántica a esta longitud de onda es de 0,80, calcule la corriente de cortocircuito de la celda si su área es de 4 cm2. (b) Para la misma eficiencia cuántica, ¿cuál sería el

a) Una celda solar de silicio (banda prohibida de 1,12 eV) se ilumina uniformemente con luz monocromática de 800 nm de longitud de onda e intensidad de 20 mW/cm2. Dado que su eficiencia cuántica a esta longitud de onda es de 0,80, calcule la corriente de cortocircuito de la celda si su área es de 4 cm2.

(b) Para la misma eficiencia cuántica, ¿cuál sería el valor de esta corriente si la celda estuviera hecha de un semiconductor de banda prohibida (i) 0.7 eV, (ii) 2.0 eV.

c) Para la celda de silicio del inciso (a), calcule el voltaje de circuito abierto, el factor de llenado y la eficiencia de conversión de energía, dado que su factor de idealidad es 1.2 y la densidad de corriente de saturación oscura es 1 A/cm2.

(d) Estime el rango de valores de (i) resistencia en serie y (ii) resistencia en derivación que causaría una reducción relativa en el factor de llenado y la eficiencia de conversión de energía de menos del 5%.