Pregunta: Un transistor pnp de silicio tiene concentraciones de impurezas de 5x10 18 , 2x10 17 y 10 16 cm -3 en el emisor, la base y el colector, respectivamente. El ancho de la base es de 1,0 µm y el área de la sección transversal del dispositivo es de 0,2 mm2 . Cuando la unión EB tiene polarización directa a 0,5 V y la unión BC tiene polarización inversa a 5 V,

Un transistor pnp de silicio tiene concentraciones de impurezas de 5x10 ¹⁸ , 2x10 ¹⁷ y 10 ¹⁶ cm ^-3 en el emisor, la base y el colector, respectivamente. El ancho de la base es de 1,0 µm y el área de la sección transversal del dispositivo es de 0,2 ^mm2 . Cuando la unión EB tiene polarización directa a 0,5 V y la unión BC tiene polarización inversa a 5 V, calcule (a) el ancho de la base neutra y (b) la concentración de portadores minoritarios en la unión EB.