Pregunta: P1) Calcule la longitud de onda de corte para diodos PIN de silicio y germanio. Sus energías de vendaje son 1,1 eV y 0,67 respectivamente. P2) En un fotodetector de ln GaAs, un pulso de 85 ns emite 6 x 10 ^ 16 fotones a una longitud de onda de 1300 nm. El promedio de eh paris generado es 5,4 x 10 ^ 6. Calcule la eficiencia cuántica del detector. P3) Fotones

P1) Calcule la longitud de onda de corte para diodos PIN de silicio y germanio. Sus energías de vendaje son 1,1 eV y 0,67 respectivamente.

P2) En un fotodetector de ln GaAs, un pulso de 85 ns emite 6 x 10 ^ 16 fotones a una longitud de onda de 1300 nm. El promedio de eh paris generado es 5,4 x 10 ^ 6. Calcule la eficiencia cuántica del detector.

P3) Fotones con una energía de 1,53 x 10 ^ -19 julios inciden en un fotodiodo con una capacidad de respuesta de 0,65 A/W. Si la potencia de salida es de 10 µW. Encuentra la fotocorriente generada.

P4) Un láser de GaAs que funciona a 850 nm y tiene una longitud de 500 µ, índice de refracción n = 3,7. Calcule la frecuencia y el espaciado de longitudes de onda.

P5) Un LED InGaAsP de doble heterounión que funciona a 1310 nm tiene tiempos de recombinación radiativa y no radiativa de 30 y 100 ns respectivamente. La corriente inyectada a 40 µA. Calcular - i) Tiempo de vida de recombinación masiva. ii) Eficiencia cuántica interna. iii) Nivel de potencia interna.

P6) Encuentre la ganancia óptica en el umbral de un diodo láser que tiene los siguientes valores paramédicos, R1 = R2 = 0,32, L = 500 um y pérdida en el coeficiente de absorción efectiva del material = 10 cm^-1