Pregunta: (a) Escriba un CÓDIGO MATLAB para representar gráficamente el voltaje umbral (VT) en función de Na (impureza aceptora) para un MOSFET de silicio de canal n ideal operado a temperatura ambiente. Superponga en la misma gráfica las curvas correspondientes al espesor de óxido (tox) = 0,01, 0,02, 0,05 y 0,1 μm. La concentración de dopaje del sustrato varía de

(a) Escriba un CÓDIGO MATLAB para representar gráficamente el voltaje umbral (VT) en función de Na (impureza aceptora) para un MOSFET de silicio de canal n ideal operado a temperatura ambiente. Superponga en la misma gráfica las curvas correspondientes al espesor de óxido (tox) = 0,01, 0,02, 0,05 y 0,1 μm. La concentración de dopaje del sustrato varía de 1014 cm-3 ≤ Na ≤ 1018 cm-3. Limite el VT a 0 ≤VT ≤ 3 V.

(b) Escriba un CÓDIGO MATLAB para mostrar la dependencia de la temperatura del umbral del MOSFET considerando un MOSFET de canal n ideal. Donde t _ox y N _a . Grafique el _VT en función de la temperatura T en el rango 200 K ≤ T ≤ 400 K. Sean t _ox y N _a 0,1 μm y 10 ¹⁶ cm ^-3 respectivamente.