Pregunta: El arseniuro de galio (GaAs) y el fosfuro de galio (GaP) son semiconductores compuestos que tienen energías de banda prohibida a temperatura ambiente de 1,42 eV y 2,25 eV, respectivamente, y forman soluciones sólidas en todas las proporciones. Además, la banda prohibida de la aleación aumenta de forma aproximadamente lineal con las adiciones de GaP (en %

El arseniuro de galio (GaAs) y el fosfuro de galio (GaP) son semiconductores compuestos que tienen energías de banda prohibida a temperatura ambiente de 1,42 eV y 2,25 eV, respectivamente, y forman soluciones sólidas en todas las proporciones. Además, la banda prohibida de la aleación aumenta de forma aproximadamente lineal con las adiciones de GaP (en % mol). Las aleaciones de estos dos materiales se utilizan para diodos emisores de luz en los que la luz se genera mediante transiciones de electrones de banda de conducción a banda de valencia. Determinar la composición de una aleación de GaAs-GaP que emitirá luz roja con una longitud de onda de 0,68 μm (10 puntos)