Pregunta: Considere un reactor de difusión de deposición de vapor químico de baja presión para colocar una película delgada del semiconductor de galio, Ga, sobre una superficie de oblea de silicio. El galio metálico no es volátil, pero el trimetil galio (TMG, Ga(CH 3 ) 3 , 114,72 g/g mol) sí lo es. En presencia de gas H 2 a alta temperatura, TMG se descompondrá en Ga

Considere un reactor de difusión de deposición de vapor químico de baja presión para colocar una película delgada del semiconductor de galio, Ga, sobre una superficie de oblea de silicio. El galio metálico no es volátil, pero el trimetil galio (TMG, Ga(CH ₃ ) ₃ , 114,72 g/g mol) sí lo es. En presencia de gas H ₂ a alta temperatura, TMG se descompondrá en Ga sólido sobre una superficie mediante la siguiente reacción: Ga(CH ₃ ) ₃ (g) +3/2 H ₂ (g) Ga (s) +3 CH ₄ (g). A 700 C, esta reacción superficial está limitada por difusión.

(a) Desarrolle un modelo integral para predecir el flujo de TMG a la superficie de la oblea.

(b) ¿Cuál sería el modelo simplificado de (a) si los reactivos están diluidos?