Pregunta: Considere un inversor CMOS fabricado en un proceso de 0,13 μm con VDD=1,2 V, Vtn=- Vtp=0,4 V, μn/μp=4 y μnCox=430 μA/V2. Además, los transistores NMOS y PMOS se fabrican con el tamaño de característica mínimo y (W/L)n=1. a) Encuentre Wp que resulte en VM=0.6V. b) Dibuje las características de transferencia de voltaje y etiquete todos los puntos críticos para

Considere un inversor CMOS fabricado en un proceso de 0,13 μm con VDD=1,2 V, Vtn=- Vtp=0,4 V, μn/μp=4 y μnCox=430 μA/V2. Además, los transistores NMOS y PMOS se fabrican con el tamaño de característica mínimo y (W/L)n=1.

a) Encuentre Wp que resulte en VM=0.6V.

b) Dibuje las características de transferencia de voltaje y etiquete todos los puntos críticos para el caso correspondiente en (a). Dé los valores para los márgenes de ruido bajo y alto.

c) Para el inversor en (a) encuentre la resistencia de salida en cada uno de sus dos estados.

d) Para un inversor de tamaño mínimo para el cual (W/L)n=(W/L)p=1, encuentre VM.