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Mira la respuestaMira la respuesta done loadingPregunta: Considere un cristal de silicio cuya energía de banda prohibida es Eg=1.124eVE_g = 1.124 eVEg=1.124eV y se mantiene en T=300KT = 300 KT=300K. Si el nivel de Fermi, EFE_FEF, está ubicado precisamente en la mitad de la brecha de banda, ¿cuál es la probabilidad de encontrar un electrón (o, de manera equivalente, la probabilidad de que un estado esté ocupado)
Considere un cristal de silicio cuya energía de banda prohibida es Eg=1.124eVE_g = 1.124 eVEg=1.124eV y se mantiene en T=300KT = 300 KT=300K.
Si el nivel de Fermi, EFE_FEF, está ubicado precisamente en la mitad de la brecha de banda, ¿cuál es la probabilidad de encontrar un electrón (o, de manera equivalente, la probabilidad de que un estado esté ocupado) en E=EC+kBTE = E_C + k_BTE=EC +kBT?
- Hay 3 pasos para resolver este problema.SoluciónPaso 1Mira la respuesta completaPaso 2
La probabilidad de encontrar un electrón en un estado de energía
E
en un semiconductor se puede calc...DesbloqueaPaso 3DesbloqueaRespuestaDesbloquea
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