Pregunta: codigo matlab Considere un láser semiconductor de GaAs de doble heteroestructura hecho de una región activa intrínseca de GaAs rodeada por capas de Al0.3 Ga0.7 As dopadas con P y N. El tiempo de vida de la recombinación radiativa en la región activa es de 2 ns, el coeficiente de pérdida por dispersión es de 25 cm-1 y su espesor es el espesor máximo al que

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Considere un láser semiconductor de GaAs de doble heteroestructura hecho de una región activa intrínseca de GaAs rodeada por capas de Al0.3 Ga0.7 As dopadas con P y N. El tiempo de vida de la recombinación radiativa en la región activa es de 2 ns, el coeficiente de pérdida por dispersión es de 25 cm-1 y su espesor es el espesor máximo al que opera el láser en condiciones de modo transversal único. 1 – Trazar la relación entre los niveles cuasi-Fermi y la concentración de electrones/huecos en la región activa. En su diagrama, compare esta relación con la aproximación de cero Kelvin y comente cualquier discrepancia. 2 – Suponga valores razonables de ancho y largo de la región activa y grafique el factor de inversión de Fermi, la densidad de estados de la unión óptica y el coeficiente de ganancia del láser en función de la frecuencia a diferentes valores de corriente de inyección. 3- Trazar la relación entre el coeficiente de ganancia pico y la corriente de inyección. Luego encuentre la transparencia actual. 4-Suponga que uno de los espejos refleja perfectamente (100% de reflexión). ¿Qué potencia de reflectividad del otro espejo se necesita para que la corriente umbral sea un 50% más alta que la corriente de transparencia?