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  • Pregunta: Calcule la conductividad eléctrica a temperatura ambiente del silicio que ha sido dopado con 1,0 × 10 23 m -3 de átomos de arsénico. Suponga valores para las movilidades de electrones y huecos de 0,065 y 0,022 m 2 /V·s, respectivamente.

    Calcule la conductividad eléctrica a temperatura ambiente del silicio que ha sido dopado con 1,0 × 10 23 m -3 de átomos de arsénico. Suponga valores para las movilidades de electrones y huecos de 0,065 y 0,022 m 2 /V·s, respectivamente.

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    Introduccion:

    Es importante comprender que la conductividad eléctrica de un material semiconductor do...

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