Pregunta: 3. El gas tetraclorosilano (SiCl4) altamente purificado se hace reaccionar con gas hidrógeno (H2) para producir silicio policristalino de grado electrónico a 800 °C y 1,5 × 105 𝑃𝑎 de acuerdo con la ecuación: 𝑆𝑖𝐶𝑙4(𝑔)+2𝐻2(𝑔)→𝑆𝑖(𝑠) +4𝐻𝐶𝑙 (𝑔) Existe la preocupación de que la reacción experimente limitaciones de difusión en la superficie sólida

3. El gas tetraclorosilano (SiCl4) altamente purificado se hace reaccionar con gas hidrógeno (H2) para producir silicio policristalino de grado electrónico a 800 °C y 1,5 × 105 𝑃𝑎 de acuerdo con la ecuación: 𝑆𝑖𝐶𝑙4(𝑔)+2𝐻2(𝑔)→𝑆𝑖(𝑠) +4𝐻𝐶𝑙 (𝑔) Existe la preocupación de que la reacción experimente limitaciones de difusión en la superficie sólida de Si en crecimiento. Estime el coeficiente de difusión molecular para (a) SiCl4 en H2 y (b) SiCl4 en una mezcla en fase gaseosa que contiene 40 % mol de SiCl4, 40 % mol de H2 y 20 % mol de HCl. Los parámetros de Lennard-Jones para SiCl4 (especie A) son 𝜀𝐴⁄𝑘 = 358 𝐾, 𝜎𝐴 = 5,08