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  • Pregunta: 2.-Heat treatment is common in the processing of semiconductor materials. Asilicon wafer with a diameter of 200 mm and a thickness of 725*10-6 m is heated in avacuum chamber using an infrared heater. The surrounding walls of the chamber havea uniform temperature of 310 K. The infrared heater emits a flux of incident radiation200

    2.-Heat treatment is common in the processing of semiconductor materials. A
    silicon wafer with a diameter of 200 mm and a thickness of 725*10-6 m is heated in a
    vacuum chamber using an infrared heater. The surrounding walls of the chamber have
    a uniform temperature of 310 K. The infrared heater emits a flux of incident radiation
    200 kW/m2
    on the surface of the wafer, whose emissivity and absorptivity are 0.70. The
    temperature of the bottom surface of the wafer as measured by a pyrometer is 1000 K. If
    assumes that there is no exchange of radiation between the bottom surface of the wafer and the
    surroundings, determine the temperature of the top surface of the wafer. (Note: A pyrometer
    is a device that measures and intercepts thermal radiation without the need to come into contact
    with the surface. It can be used to determine the surface temperature of the object.)
    Use the following thermal conductivity: ksilicon = 31.2 W/m*K.
    Note: the range of surface temperatures is between 1000 K and 1010 K, find the
    temperature that meets the condition of the equation and shows at least 4 calculations with the
    upper surface temperature values. Wafer = sheet
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2.-El tratamiento térmico es común en el procesamiento de materiales semiconductores. Una oblea de silicio con un diámetro de 200 mm y un espesor de 725*106 m se calienta en una cámara de vacío mediante un calefactor infrarrojo. Las paredes circundantes de la cámara tienen una temperatura uniforme de 310 K. El calefactor infrarrojo emite un flujo de radiación incidente de 200 kW/m² sobre la superficie de la oblea, cuya emisividad y absortividad son de 0.70. La temperatura de la superficie inferior de la oblea marcada por un pirómetro es de 1000 K. Si se asume que no hay intercambio de radiación entre la superficie inferior de la oblea y los alrededores, determine la temperatura de la superficie superior de la oblea. (Nota: Un pirómetro es un dispositivo que mide e intercepta la radiación térmica sin necesidad de entrar en contacto con la superficie. Se puede utilizar para determinar la temperatura de la superficie del objeto.) Use la siguiente conductividad térmica: ksilicio = 31.2 W/m*K. Nota: el rango de temperaturas de la superficie esta entre 1000 K y 1010 K, encuentre la temperatura que cumpla la condición de la ecuación y muestre por lo menos 4 cálculos con los valores de la temperatura de la superficie superior. Oblea = lamina Oblea de silicio T₁ dad T₁=1000 K ✓ Gab=aG T L=725-105m I Tad=310 K 8=a=0.70